中國(guó)經(jīng)濟(jì)增速放緩已經(jīng)影響到整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)，如果下一步隨著中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的實(shí)力地位提升，它采用價(jià)格下降的策略，那可能將會(huì)對(duì)于全球半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)生更大的影響。

                      中國(guó)經(jīng)濟(jì)影響深 回顧2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)大事 　
　　2015年匆匆過(guò)，在這一年中全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)生了許多故事，哪些值得我們?nèi)セ仡櫍?/span>

　　預(yù)測(cè)大修正

　　年初時(shí)眾多市場(chǎng)分析公司預(yù)測(cè)今年半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)在3%-7%，然而時(shí)至年底紛紛都調(diào)低至持平，或稍有下降。

　　業(yè)界有興趣探個(gè)究竟為什么?三句話：終端弱，美元強(qiáng)以及中國(guó)緩。

　　Fabless下降

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ICInsights的最新預(yù)測(cè)，2015年全球芯片供貨商排行榜上，將出現(xiàn)25年以來(lái)第二次芯片制造商IDM表現(xiàn)勝過(guò)無(wú)晶圓廠fabless的情形。

　　根據(jù)ICInsight于12月的數(shù)據(jù)，今年全球Top10fabless的總營(yíng)收預(yù)料將下滑5%至589.19億美元，大部分都是受到高通的fabless營(yíng)收下降20%的影響，它由2014年的200億美元至今年的160億美元。需要說(shuō)明高通的營(yíng)收有兩部分組成，除了fabless之外，還有占其營(yíng)收1/3強(qiáng)的授權(quán)費(fèi)用所得。ICInsights指出，高通營(yíng)收驟降，表面上看是因?yàn)槿菦Q定改采用自家的Exynos系列處理器、不再向高通下訂單，實(shí)際上反映一個(gè)趨勢(shì)，那些系統(tǒng)制造商如蘋果，三星，華為等為了增強(qiáng)產(chǎn)品的差異化，紛紛都自行研發(fā)處理器芯片。

　　另外，fabless排名第三的聯(lián)發(fā)科今年?duì)I收也料將萎縮8%至65.04億美元。

　　并預(yù)測(cè)2015年全球fabless銷售額將下降5%，為799億美元，相比去年為841億美元。

　　兼并再次加劇

　　根據(jù)研究公司Dealogic統(tǒng)計(jì)，2015年到12月中旬為止半導(dǎo)體業(yè)并購(gòu)交易規(guī)模已突破1，200億美元，創(chuàng)下歷年來(lái)的最高紀(jì)錄。交易金額已達(dá)到去年全年的4倍以上。

　　自1972以來(lái)全球前十大半導(dǎo)體公司的市場(chǎng)份額一直保持在一定水平內(nèi)，但今年大公司之間的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合以及近似瘋狂的并購(gòu)，打破了這一規(guī)律。2015年，全球前十大半導(dǎo)體公司的市場(chǎng)份額比前42年的最高點(diǎn)上升了3%。有觀點(diǎn)稱，按照這樣的節(jié)奏下去，到2020年全球半導(dǎo)體公司就會(huì)“大一統(tǒng)”了，大家都為一家公司工作。這種說(shuō)法顯然有些夸張，但不可否認(rèn)的是，今年的半導(dǎo)體企業(yè)并購(gòu)不同尋常，可能絕非是終點(diǎn)。

　　代工競(jìng)爭(zhēng)更加激烈

　　總體上2015年對(duì)于代工業(yè)是一個(gè)挑戰(zhàn)之年，可能會(huì)有適中的增長(zhǎng)?；谙冗M(jìn)制程的代工的客戶群進(jìn)一步兼并減少，以及由于成品率問(wèn)題全球代工在16/14nmfinfet工藝上可能會(huì)停留更久。

　　從先進(jìn)制程技術(shù)，大部分代工制造商都進(jìn)入一個(gè)新階段，如格羅方德，三星及臺(tái)積電都己能由傳統(tǒng)的平面工藝，28nm，或20nm過(guò)渡到16nm/14nm的finFET工藝，而英特爾己經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入14nm的第二代finFET工藝量產(chǎn)。代工制造商期望在2016年底能開(kāi)始10nm的試產(chǎn)。

　　盡管業(yè)界已經(jīng)采用finFET工藝，但是先進(jìn)工藝制程的平面CMOS市場(chǎng)仍相當(dāng)有活力，實(shí)際上28nm仍是目前眾多應(yīng)用市場(chǎng)的佳品。2015年就單個(gè)28nm節(jié)點(diǎn)可能產(chǎn)出10.0B美元的代工銷售額。

　　一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)，無(wú)論是芯片制造商，或是它的代工伙伴，只要能進(jìn)入蘋果的供應(yīng)鏈就一定興旺，因?yàn)樘O果的訂單量大有保障。未來(lái)非?？赡苁紫仁窃谙冗M(jìn)制程代工中開(kāi)始兼并，同時(shí)另一方面代工制造商會(huì)開(kāi)始兼并200mm的產(chǎn)能。

　　2015年全球純代工銷售額可能增長(zhǎng)不到10%，而去年為421億美元。

　　先進(jìn)制程步伐不停

　　盡管全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的步伐減緩，但是從先進(jìn)制程方面沒(méi)有停步，反而加快。英特爾，三星及臺(tái)積電三足鼎立，并領(lǐng)先于全球的態(tài)勢(shì)越來(lái)越突出。

　　它們?cè)谕黄?6nm/14nm制程的同時(shí)，英特爾，三星與臺(tái)積電同樣分別開(kāi)發(fā)10nmfinFET制程。并期望在2016年底能開(kāi)始10nm的試產(chǎn)。

　　Gartner的Wang說(shuō)，三星與臺(tái)積電都在積極地向10nm邁進(jìn)，但是看起來(lái)在關(guān)于10nm的前景方面在臺(tái)積電和三星之間有不同的意見(jiàn)。臺(tái)積電的觀點(diǎn)認(rèn)為10nm不會(huì)是個(gè)長(zhǎng)壽命節(jié)點(diǎn)，因?yàn)?0nm與16nm/14nm相比從速度上才高出25%，不占太大的優(yōu)勢(shì)。所以臺(tái)積電認(rèn)為未來(lái)7nm可能更持久。而三星有不同的看法，認(rèn)為與14nm相比，10nm一定會(huì)更加成功。

　　英特爾，三星及臺(tái)積電三家在先進(jìn)工藝制程方面，都在暗中使全力較勁。由于都是基于finFET工藝，買的幾乎是同樣的設(shè)備，分析它們幾乎處于同一水平上，至少不存在那家有明顯的優(yōu)勢(shì)。

應(yīng)用材料公司在今年的SemiconTaiwan強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大技術(shù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，必須依靠材料創(chuàng)新來(lái)實(shí)現(xiàn)。特別是在目前下一代EUV光刻技術(shù)尚未到位，預(yù)計(jì)要到7納米后才會(huì)上線之際，現(xiàn)階段必須透過(guò)材料創(chuàng)新與制程進(jìn)展來(lái)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。在晶片上做制程就像“造橋鋪路”一樣，在確保電路夠穩(wěn)固可靠后，必須再加上材料工程進(jìn)行調(diào)整，才能為客戶提供實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)所需的差異化產(chǎn)品與服務(wù)。3DNAND預(yù)計(jì)將在2018年達(dá)到100萬(wàn)片的月產(chǎn)能，提高85%，并隨著層數(shù)從36層增加到48層，帶來(lái)50-70%的市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)。

　　從目前的進(jìn)程半導(dǎo)體業(yè)在先進(jìn)制程方面有可能邁入5納米。

　　另外三星與意法半導(dǎo)體合作開(kāi)展研發(fā)的FD-SOI(全耗盡型SOI)工藝開(kāi)始投片生產(chǎn)28納米芯片，法國(guó)半導(dǎo)體公司SoitecSA為其提供SOI基底材料。除意法半導(dǎo)體外，還有其他的客戶進(jìn)入排片隊(duì)伍。

　　據(jù)報(bào)道稱，三星2015年己開(kāi)始制定多個(gè)晶圓代工生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)FDSOI計(jì)劃，并將在2016年推出可用的物理設(shè)計(jì)工具包(PDK)以及用戶所需的IP生態(tài)系統(tǒng)。

　　存儲(chǔ)器表現(xiàn)平平

　　存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。因此2015年全球存儲(chǔ)器業(yè)表現(xiàn)平平，據(jù)TrendForce的預(yù)測(cè)今年存儲(chǔ)器總營(yíng)收可能僅增加1.8%。

　　據(jù)ICInsight預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，2015年全球存儲(chǔ)器業(yè)總營(yíng)收834億美元，其中DRAM占63%，為525.4億美元，F(xiàn)lash占35%，為292億美元，其中NAND閃存占32%，為267億美元及NOR閃存占3%，為25億美元。

　　2015年受到需求面不振、持續(xù)供過(guò)于求的影響，DRAM價(jià)格呈現(xiàn)顯著衰退，尤其以標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器最為明顯。TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，在寡占市場(chǎng)型態(tài)下，雖然小幅供過(guò)于求且價(jià)格持續(xù)下滑，各供應(yīng)商生產(chǎn)仍保持紀(jì)律，未有明顯新增產(chǎn)能，因此延續(xù)2013年與2014年態(tài)勢(shì)，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。

　　中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的地位節(jié)節(jié)上升

　　近年來(lái)由于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的努力與進(jìn)步，它的變化己引起全球業(yè)界的關(guān)注。如WSTS己經(jīng)將中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的數(shù)據(jù)從原先并在亞太地區(qū)中開(kāi)始單列。并認(rèn)為導(dǎo)致今年全球半導(dǎo)體業(yè)態(tài)勢(shì)轉(zhuǎn)弱的三個(gè)因素中，有一個(gè)是由于中國(guó)的經(jīng)濟(jì)放緩。

　　另外，全球頂級(jí)大廠如三星，英特爾及臺(tái)積電等都在中國(guó)己建，或者新建最先進(jìn)制程的12英寸生產(chǎn)線，因此對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)將面臨更激烈的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境。

　　近期紫光進(jìn)行瘋狂的連續(xù)投資入股臺(tái)灣地區(qū)的三家封測(cè)廠的行動(dòng)，己引起島內(nèi)的巨大反響。

　　如中國(guó)在傳感器，模擬及分立器件都是全球第一位，依出貨量計(jì)，它們分別消費(fèi)了全球的50%，41%及40%。

　　而且與全球IC的平均銷售價(jià)格ASP相比，中國(guó)的ICASP低16%。

　　另外，近幾年全球ICT產(chǎn)業(yè)重心快速移向亞洲，中國(guó)成長(zhǎng)尤其驚人。如2000年時(shí)，中國(guó)在電子零組件出口全球占比不過(guò)2.1%，到2013年已到19.8%，占比已超越臺(tái)灣。

　　十年來(lái)，電子零組件出口市場(chǎng)全球占比有了很大的改變，2000年日本第一，占比達(dá)14.2%，現(xiàn)在是中國(guó)最大。

　　中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)正處于大的變革之中，去年大基金的推出是一個(gè)重要標(biāo)志。表面上看大基金似乎解決了企業(yè)的融資難題，實(shí)際上更深層次的作用在于要解決一個(gè)中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)迅速向市場(chǎng)化機(jī)制過(guò)渡的問(wèn)題。通過(guò)獲得資金來(lái)提高企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，而只有在企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力提高，獲利能力提升時(shí)才有可能向市場(chǎng)化機(jī)制過(guò)渡，因此大基金可看作是產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的橋梁作用，其最終目的是通過(guò)提升企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，而讓產(chǎn)業(yè)加速向市場(chǎng)化機(jī)制過(guò)渡。

　　中國(guó)經(jīng)濟(jì)增速放緩已經(jīng)影響到整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)，如果下一步隨著中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的實(shí)力地位提升，它采用價(jià)格下降的策略，那可能將會(huì)對(duì)于全球半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)生更大的影響。