EOS英文全稱ElectricalOverStress，是對所有的過度電性應(yīng)力的總稱。當(dāng)EOS超過其最大指定極限后，器件功能會減弱或損壞，同時EOS也是公認的IC器件的頭號殺手。由于它可能發(fā)生在產(chǎn)品的研發(fā)、測試乃至生產(chǎn)、存儲、運輸?shù)母鱾€環(huán)節(jié)，所以對廠商的電路設(shè)計，測試規(guī)范，生產(chǎn)流程以及物流中防護都有嚴(yán)格具體的要求，每年耗費整個半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)十億美金的資金。更可恨的是，EOS的發(fā)生情況復(fù)雜，神出鬼沒，尋求一個完美的解決方案至今困擾著學(xué)術(shù)界和工業(yè)界。此文旨在分析EOS的成因，特點，破壞力，以及對于芯片廠商和系統(tǒng)設(shè)計人員的啟示。

　　EOS是一個非常廣的概念，物理上可以看成是一種較長時間的低電壓，大電流的能量脈沖（通常電壓<100V，電流大于10A，大于1ms的發(fā)生時間）。為了更好的說明EOS的特性，可以和另一種常見的，且容易被混淆的電力破壞機制&mdash;ESD（靜電釋放）進行比較。從Figure.1可清晰看出EOS和ESD的放電特征，而ESD短時間的高電壓低電流的特性（通常電壓>500V，電流小于10A，納秒發(fā)生時間），可以認定是EOS的一種特例。

　　Figure.1 EOS Versus ESD

　　Table.1EOS與ESD對比

　　EOS成因很多，主要會出現(xiàn)在上下電瞬態(tài)過程，電流倒灌以及過度的電壓電流驅(qū)動（常說的過載）。通常造成的破壞都是由于器件過熱，損壞有三種類型。

　　Figure.2PN節(jié)擊穿

　　Figure.3金屬層熔斷

　　Figure.4金屬打線熔斷

　　鑒于EOS的成因和特點，成熟的系統(tǒng)廠商通常采用如下的防護方式。建立和規(guī)范工作流程，進行常規(guī)的交流電源線監(jiān)控。

　　電源

　　確保交流電源配備了瞬態(tài)電流抑制器（濾波器）

　  電源過壓保護

　　交流電源穩(wěn)壓器（可選）。

　　電源時序控制器，可調(diào)整時序

　　不共用濾波器和穩(wěn)壓器

　　工作流程

　　將正確流程存檔。

　　確保針對以下內(nèi)容進行培訓(xùn)并給出警示標(biāo)志

　　電源開/關(guān)順序

　　不可熱插拔

　　正確的插入方向

　　定期檢查以確保遵守相關(guān)規(guī)定

　　維護

　　定期進行預(yù)防性維護。

　　確保接頭良好緊固，以防止其帶來間歇性故障。

　　電路板或元件測試

　　確保不進行熱切換。進行測試時使用存儲范圍捕獲信號或電源的瞬態(tài)電流。

　　確保不出現(xiàn)峰值/低頻干擾。

　　確保正確設(shè)置測試參數(shù)（不會過壓）。

　　確保測試硬件中使用了正確的保險絲。

　　Figure.5 DIO2113 EOS Protection Demonstration