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采用IGCT電壓型逆變器的高壓變頻器仿真研究

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關(guān)鍵詞:逆變器,高壓變頻器

    1 引言

      大功率電力電子器件[8][9]及大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展, 使得采用高—高直接變換方式實(shí)現(xiàn)高壓(6 kv,10kv)變頻調(diào)速裝置成為可能。與高—低—高變換方式的高壓變頻器相比,高—高變頻器具有體積小、重量輕、效率高、性能價(jià)格比高等優(yōu)點(diǎn),因而得到越來越多的應(yīng)用。國內(nèi)也有多家公司推出了采用基于igbt器件的單元串聯(lián)單相橋式主電路結(jié)構(gòu)的高壓變頻器產(chǎn)品,這種主電路結(jié)構(gòu)由于igbt器件數(shù)量多、信號(hào)調(diào)制復(fù)雜而使得整體可靠性較差,驅(qū)動(dòng)能力低,其輸出功率也因igbt單管容量有限而受到限制。而igct(integratedgate commutatedthyristor)是90年代在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上,結(jié)合igbt[5]和gto等成熟技術(shù)開發(fā)的新型器件。因此,它比igbt更適合于高電壓、大容量方面的使用。同時(shí)igct在gto的基礎(chǔ)上進(jìn)行了重新優(yōu)化設(shè)計(jì),因而與gto相比更具有開關(guān)狀態(tài)損耗低、門極控制簡單、關(guān)斷速度快、主回路接線簡單等優(yōu)點(diǎn)。目前使用的igct元件最高耐壓水平為5.5kv,適合于大容量變頻器使用。鑒于igct器件完好與否關(guān)乎變頻器設(shè)備的安全運(yùn)行,對(duì)交流電動(dòng)機(jī)電源的變頻改造可以改善啟動(dòng)性能,從而延長電動(dòng)機(jī)的使用壽命,降低企業(yè)的生產(chǎn)成本至關(guān)重要[1]。

    2 igct子電路模型的建立

      2.1 igct結(jié)構(gòu)與工作原理[6]

      igct是集成門極驅(qū)動(dòng)電路和門極換流晶閘管gct的總稱,在工藝上采用了單元結(jié)構(gòu)集成的方法,其陰極被細(xì)分為許多個(gè)單元胞,周圍由門極包圍,形成所謂多陰極的結(jié)構(gòu),整個(gè)芯片的外面是反并聯(lián)的快速二極管。

      igct的陽極pnp三極管,是一只高壓大電流的三極管,n基區(qū)很厚,在關(guān)斷之始,n基區(qū)有大量的存儲(chǔ)電荷,這就需要陽極電流有一定時(shí)間(1-2μs)去除這些電荷。由于其陰極npn三極管anpn。值大,即比較靈敏,因此,在這個(gè)時(shí)間內(nèi),陰極三極管能夠轉(zhuǎn)出工作區(qū),這樣當(dāng)陽極電壓上升時(shí),就不會(huì)有任何陰極電流了,也就是說,在關(guān)斷時(shí)igct是一個(gè)基極開路的pnp三極管。在開通階段,數(shù)百安培的門極電流強(qiáng)脈沖迅速有效地使陰極npn三極管在晶閘管開關(guān)動(dòng)作之前進(jìn)入飽和區(qū),即使在非常高的di/dt的情況下,開通損耗也幾乎可以忽略。

      2.2 igct的建模及仿真

      在本文中,建立igct模型[2]的目的是用來研究逆變器的動(dòng)態(tài)行為特征,故采用了子電路模型對(duì)其進(jìn)行仿真。又因igct的低電感(單元延遲可忽略),對(duì)igct采用了單2t-3r仿真電路[9]。圖1給出了abb公司生產(chǎn)的型號(hào)為5shx04d4502的igct仿真電路,vdrm=4500v,itgqm=630a。

      仿真結(jié)果如圖2(a)所示,它與igct實(shí)測(cè)關(guān)斷波形(如圖2(b)所示)相比較,基本吻合,從而較好地完成了對(duì)igct的仿真。但仍然存在一些差異:仿真結(jié)果比較線性;未能更詳細(xì)的給出陽極峰值電壓之后的振蕩過度過程。而用此模型去仿真逆變單元,將具有足夠的精度。

     

      2.3 基于igct的逆變單元

      本文所仿真的高壓變頻器的參數(shù)是根據(jù)火電廠風(fēng)機(jī)系統(tǒng)確定的,設(shè)電壓為6kv,容量為2mva,每個(gè)功率單元中的逆變電路的原理接線如圖3所示。與單一的整流—逆變功率單元電路圖相比,添加上實(shí)際電路中的軛流電路及雜散電感。為了觀察逆變器中igct動(dòng)態(tài)行為特征,在逆變器的仿真中采用了詳細(xì)模型,如圖3所示,圖中的s1~s4均采用圖1所示單2t-3r仿真電路代替[7],且反并聯(lián)一快速二極管,從而構(gòu)成逆導(dǎo)型igct的pspice模型,rsnubber、dclamp、lsnubber、cclamp分別是吸收電阻、箝位二極管、軛流電感和箝位電容,它們組成了逆變器的開通吸收回路,即軛流回路,ls為電路中的雜散電感。

      由于對(duì)控制系統(tǒng)特性的仿真需要較長的時(shí)間,圖4為簡化的逆變器控制電路及調(diào)制信號(hào),而本文中所關(guān)注的是逆變裝置的特性,故在不失一般性的情況下可將控制環(huán)的行為用如圖5(a)所示的固定的信號(hào)源代替。用表函數(shù)(etable,圖中的e1、e2)對(duì)比較器進(jìn)行建模,用于比較兩個(gè)輸入端的三角波載波信號(hào)和正弦波參考信號(hào)的大?。ㄐ盘?hào)如圖5(b)所示),并據(jù)此產(chǎn)生pwm控制信號(hào),分別控制s1、s2(igct單元),用一壓控電壓源(e3、e4)控制端反接上述輸出信號(hào),其輸出信號(hào)控制s3、s4(igct單元)。s1、s3的控制信號(hào)如圖5(b)、5(c)所示,可以看出,二者是互補(bǔ)的。s2、s4的控制信號(hào)分別滯后s1、s3180°。

    3 igct仿真與分析

      在仿真過程中,圖5(a)中的vr1正弦調(diào)制信號(hào)電壓、vr2為三角載波信號(hào)電壓,幅值分別取8和10,vc的幅值取10,即調(diào)制比m取0.8;vc的頻率取值800hz,即載波頻率為800hz。分別仿真了以下三種情況:

     ?。?)理想情況下,不考慮線路的雜散電感,加載阻性負(fù)載rload=20ω。仿真波形如圖6所示。

     

     ?。?)考慮較大的雜散電感。圖8

      考慮雜感情況下的仿真波形,橋臂中的雜散電感對(duì)igct的關(guān)斷產(chǎn)生過電壓大小和形狀影響很大。逆變器一橋臂仿真電路中雜散電感的示意圖如圖7所示。其中l(wèi)s1為開通吸收電路中吸收電阻rsnubber支路的雜散電感,其數(shù)值跟吸收電阻的選型有密切關(guān)系,一般在100~500nh之間為換流回路的雜散電感,其數(shù)值跟主電路的機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有密切關(guān)系,一般在100~1000nh之間:ls3為開通吸收電路中電容支路的雜散電感,其數(shù)值跟吸收電容的選型有密切關(guān)系,一般100~500nh之間。在仿真過程中,分別取ls1=100nh,ls2=400nh,ls3=1000nh。同時(shí)加載感性負(fù)荷,rload=20ω,rload=10mh,其它參數(shù)同第一種情況一樣,仿真波形如圖8(a)和圖8(b)所示。

     ?。?)考慮一種故障情況,交流電源輸入側(cè)的中性點(diǎn)與交流輸出側(cè)lg濾波器中的電容接地接至同一接地網(wǎng),當(dāng)電容器的容量較大時(shí),例如取9000μf,其它參數(shù)也同第一種情況,圖8(c)為故障情況下的igct端部電壓仿真波形,圖8(d)為故障情況下的igct橋臂電流。

      由仿真結(jié)果可以看出,對(duì)于情況(1)即理想情況的仿真,與理想的理論結(jié)果相比,波形中出現(xiàn)了毛刺,這是由于電路中含有軛流電感的緣故,符合實(shí)際情況。情況(2)最接近現(xiàn)場(chǎng)情況,其所采用參數(shù)描述了結(jié)構(gòu)比較松散,電纜雜散電感比較大的情況,其仿真結(jié)果與實(shí)測(cè)結(jié)果基本吻合。當(dāng)負(fù)荷比較大時(shí),由仿真結(jié)果可知,igct的端電壓在某些點(diǎn)上己經(jīng)超過vdrm(4500v),igct可能擊穿。在調(diào)試時(shí),也測(cè)到了較大上升電壓,仿真與實(shí)測(cè)相吻合。

      情況(3)則是一種嚴(yán)重的故障狀態(tài),電流遠(yuǎn)大于itgqm=630a。同時(shí),igct所承受的電壓在某些點(diǎn)上已超過vdrm(4500v),igct必定會(huì)被擊穿乃至燒毀。

    4 結(jié)束語

      通過仿真后試驗(yàn)結(jié)果的分析,可以得出以下結(jié)論:

     ?。?)igct不安裝關(guān)斷吸收電路,是有條件限制的,要求線路結(jié)構(gòu)緊湊,雜散電感較小。當(dāng)主換流雜散電感較大時(shí),必須加裝關(guān)斷吸收回路。

     ?。?)通過pspice仿真,可以再現(xiàn)故障狀態(tài),并可以人為模擬故障狀態(tài),在電力電子產(chǎn)品的研發(fā)階段,可找出有關(guān)的運(yùn)行數(shù)據(jù),為產(chǎn)品調(diào)試提供依據(jù),同時(shí)還可以縮短研制周期,節(jié)約開發(fā)經(jīng)費(fèi)。

    (審核編輯: 智匯胡妮)

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