荷蘭設(shè)備大廠艾司摩爾（ASML）并購(gòu)股后漢微科，牽動(dòng)臺(tái)積電與三星的制程競(jìng)賽。設(shè)備業(yè)者認(rèn)為，ASML并購(gòu)漢微科之后，可能協(xié)助三星加快7納米量產(chǎn)，使得臺(tái)積電與三星的7納米大戰(zhàn)戰(zhàn)火更烈。

　　業(yè)界觀察，三星在10納米制程失利之后，已宣布提前7納米量產(chǎn)計(jì)劃，率先在7納米導(dǎo)入ASML量產(chǎn)的極紫外光微影制程（EUV）設(shè)備機(jī)臺(tái)。三星規(guī)劃，明年第2季或第3季EUV機(jī)臺(tái)裝設(shè)完工之后，明年底就會(huì)用于量產(chǎn)7納米芯片。

　　臺(tái)積電在7納米制程尚未導(dǎo)入EUV設(shè)備。由于ASML并購(gòu)漢微科之后，在先進(jìn)制程機(jī)臺(tái)能量大幅提升，業(yè)界密切關(guān)注ASML是否會(huì)協(xié)助三星加快7納米布局，以及臺(tái)積電后續(xù)因應(yīng)動(dòng)作。

　　臺(tái)積電表示，對(duì)ASML并購(gòu)漢微科持肯定態(tài)度，預(yù)期以ASML雄厚財(cái)力，可以讓漢微科有更大的后盾，支持在電子束檢測(cè)更先進(jìn)的研發(fā)。

　　對(duì)于三星提前在7納米采用EUV微影制程，臺(tái)積電表示，考量目前EUV設(shè)備還有很多技術(shù)瓶頸，公司才決定不在7納米導(dǎo)入使用，將緊盯對(duì)手發(fā)展。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，若EUV設(shè)備在2018年更成熟，該公司也會(huì)采取應(yīng)變對(duì)策，絕不會(huì)讓對(duì)手取得先機(jī)。

　　帆宣信邦戰(zhàn)略地位提升

　　艾司摩爾（ASML）宣布以新臺(tái)幣千億元并購(gòu)漢微科之后，將強(qiáng)化在臺(tái)研發(fā)能量及采購(gòu)比重，ASML在臺(tái)四大夥伴帆宣、公準(zhǔn)精密、信邦，以及大銀等臺(tái)灣業(yè)者，重要性同步拉升。

　　ASML很早就與臺(tái)灣建立關(guān)系，1988年由漢民代理臺(tái)灣業(yè)務(wù)，2007年進(jìn)一步在臺(tái)成立卓越創(chuàng)新中心，陸續(xù)將全球訓(xùn)練中心、二手設(shè)備翻修業(yè)務(wù)，以及子公司YieldStar量測(cè)系統(tǒng)生產(chǎn)線移到臺(tái)灣，就近服務(wù)客戶及支援全球。

　　ASML并把亞洲采購(gòu)中心移到臺(tái)灣，從臺(tái)灣上百家供應(yīng)商中，幾經(jīng)輔導(dǎo)評(píng)核等程序，選出帆宣、公準(zhǔn)、信邦、大銀等成為ASML主要供應(yīng)商，間接協(xié)助提升臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)整體技術(shù)能力。

　　閱報(bào)秘書(shū) EUV

　　極紫外光微影制程 （EUV）技術(shù)是次世代微影技術(shù)之一，被半導(dǎo)體業(yè)視為跨入10納米制程以下，取代傳統(tǒng)浸潤(rùn)式曝光（Immersion）、延續(xù)摩爾定律的一項(xiàng)重要微影技術(shù)。

　　浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長(zhǎng)縮短到132納米的微影技術(shù)；EUV曝光設(shè)備是利用波長(zhǎng)極短的紫外線，在矽基板上刻出更微細(xì)的電路圖案。

　　EUV售價(jià)昂貴，一臺(tái)售價(jià)高達(dá)7，000萬(wàn)歐元（約新臺(tái)幣25.6億元），主力設(shè)備開(kāi)發(fā)廠艾司摩爾（ASML）為降低開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)，過(guò)去曾要求英特爾、三星及臺(tái)積電以入股，共同參與這項(xiàng)先進(jìn)微影技術(shù)開(kāi)發(fā)，如今相關(guān)量產(chǎn)設(shè)備已陸續(xù)出貨，和浸潤(rùn)式曝光機(jī)搭配使用，開(kāi)始導(dǎo)入在10納米以下先進(jìn)制程。