目前，我國傳感器行業(yè)規(guī)模較小，應(yīng)用范圍較窄。為此，我們必須轉(zhuǎn)變觀念，將傳感器的研發(fā)由單一物性型傳感器的研發(fā)，轉(zhuǎn)化為高度集成的新型傳感器研發(fā)。新型傳感器的開發(fā)和應(yīng)用已成為現(xiàn)代系統(tǒng)的核心和關(guān)鍵，它將成為21世紀(jì)信息產(chǎn)業(yè)新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。

我國早在20世紀(jì)60年代就開始涉足傳感器制造業(yè)。我國在1972年組建成立中國第一批壓阻傳感器研制生產(chǎn)單位；1974年，研制成功中國第一個(gè)實(shí)用壓阻式壓力傳感器；1978年，誕生中國第一個(gè)固態(tài)壓阻加速度傳感器；1982年，國內(nèi)最早開始硅微機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）加工技術(shù)和SOI（絕緣體上硅）技術(shù)的研究。

進(jìn)入20世紀(jì)90年代后，硅微機(jī)械加工技術(shù)的絕對(duì)壓力傳感器、微壓傳感器、呼吸機(jī)壓傳感器、多晶硅壓力傳感器、低成本TO－8封裝壓力傳感器等相繼問世并實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。改革開放30年來，我國傳感器技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)取得了長足進(jìn)步，主要表現(xiàn)在：建立了傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、微米／納米國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國家傳感技術(shù)工程中心等研究開發(fā)基地；MEMS、MOEMS（微光機(jī)電系統(tǒng)）等研究項(xiàng)目列入了國家高新技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)；在“九五”國家重點(diǎn)科技攻關(guān)項(xiàng)目中，傳感器技術(shù)研究取得了51個(gè)品種86個(gè)規(guī)格新產(chǎn)品的成績，初步建立了敏感元件與傳感器產(chǎn)業(yè)；2007年傳感器業(yè)總產(chǎn)量達(dá)到20．93億只，品種規(guī)格已有近6000種，并已在國民經(jīng)濟(jì)各部門和國防建設(shè)中得到一定應(yīng)用。

幾十年來，微電子技術(shù)促進(jìn)了傳感器技術(shù)的發(fā)展。未來10年～20年，傳統(tǒng)硅技術(shù)將進(jìn)入成熟期（預(yù)計(jì)在2014年～2017年）。從總體發(fā)展看，傳統(tǒng)硅技術(shù)市場將一直延續(xù)到2047年（即晶體管發(fā)明100周年）才趨于飽和（即達(dá)到芯片特征尺寸的極限）并衰退。而當(dāng)前微電子技術(shù)仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎(chǔ)定律走下去，在逼近傳統(tǒng)硅技術(shù)極限中，不斷擴(kuò)展硅的跨學(xué)科橫向應(yīng)用（如MEMS等）和更先進(jìn)應(yīng)用（量子、分子器件）。而上述微電子技術(shù)的兩大發(fā)展方向正是當(dāng)前乃至未來20年傳感器技術(shù)的主要發(fā)展方向。