銻化物半導體激光具有體積小、效率高、電驅(qū)動直接發(fā)光等優(yōu)點，可實現(xiàn)1．8μm－4μm的中紅外波段激光輸出，在紅外光電技術(shù)、化學氣體及危險品監(jiān)測等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景，并可作為中紅外光纖激光器的種子源和同帶泵浦光源，是中紅外激光技術(shù)領(lǐng)域的前沿研究熱點，

但是由于銻化物半導體材料較低的熱導率和高空穴遷移率導致的側(cè)向載流子泄露，使得銻化物半導體激光器效率低、光束質(zhì)量差、溫度穩(wěn)定性差。

近日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員佟存柱團隊與中國科學院半導體研究所研究員牛智川團隊合作，提出了銻化物微脊寬區(qū)波導結(jié)構(gòu)，有效抑制了載流子側(cè)向泄露和累積，將1．96μm波長的銻化物激光器最高能量轉(zhuǎn)換效率由9．8％提高到30．5％，連續(xù)輸出功率超過了1．28W，側(cè)向光束質(zhì)量改善了36％，閾值、溫度特性和電流對遠場的影響都得到明顯改善，該研究為高亮度銻化物半導體激光器的實現(xiàn)提供了一種可行的技術(shù)方案。