東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率
–進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產(chǎn)品線–
中國上海,2020年3月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。
U-MOS X-H系列產(chǎn)品示意圖
新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開始出貨。
由于采用了其最新一代的工藝制造技術(shù),與當前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比,新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導通電阻降低了大約40%。通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),漏源導通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進一步的改善[2]。因此,新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低[3]功耗。
東芝正在擴展其降耗型產(chǎn)品線,從而為降低設(shè)備功耗提供幫助。
應(yīng)用:
?開關(guān)電源(高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等)
?電機控制設(shè)備(電機驅(qū)動等)
特性:
?業(yè)界最低[3]功耗(通過改善導通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡)
?業(yè)界最低[3]導通電阻:
RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
?高額定通道溫度:Tch=175℃
主要規(guī)格:
(除非另有說明,@Ta=25℃)
器件型號 TPH2R408QM TPN19008QM
絕對
最大
額定值 漏源電壓VDSS(V) 80 80
漏極電流(DC)ID(A) @Tc=25℃ 120 34
通道溫度Tch(℃) 175 175
電氣
特性 漏源導通電阻
RDS(ON)最大值(mΩ) @VGS=10V 2.43 19
@VGS=6V 3.5 28
總柵極電荷(柵源+柵漏)
Qg典型值(nC) 87 16
柵極開關(guān)電荷Qsw典型值(nC) 28 5.5
輸出電荷Qoss典型值(nC) 90 16.5
輸入電容Ciss典型值(pF) 5870 1020
封裝 名稱 SOP Advance TSON Advance
尺寸典型值(mm) 5.0×6.0 3.3×3.3
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注釋:
[1] 總柵極電荷(柵源+柵漏)、柵極開關(guān)電荷、輸出電荷。
[2] 與TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)進行比較,TPH2R408QM的漏源導通電阻x總柵極電荷改善約為15%、漏源導通電阻 x 柵極開關(guān)電荷改善約為10%、漏源導通電阻x輸出電荷改善約為31%。
[3] 截至2019年3月30日,東芝調(diào)研。
如需了解相關(guān)東芝12-300V MOSFET產(chǎn)品線的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:
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TPH2R408QM
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TPN19008QM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPN19008QM.html
*公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標。
關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社,主要從事電子元器件事業(yè)和存儲產(chǎn)品事業(yè)。其中電子元器件事業(yè)包含占市場大份額的分立器件、以及業(yè)界先進的系統(tǒng)LSI。在分立半導體領(lǐng)域,集中力量在控制設(shè)備功耗的功率器件等產(chǎn)品。在系統(tǒng)LSI領(lǐng)域,通過用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、通信和電源應(yīng)用領(lǐng)域的LSI產(chǎn)品,推動全球電子設(shè)備的發(fā)展。存儲產(chǎn)品事業(yè)主要在機械硬盤(HDD)領(lǐng)域,著重開發(fā)面向數(shù)據(jù)中心等企業(yè)級大容量存儲產(chǎn)品。東芝通過加強電子元器件事業(yè)和存儲產(chǎn)品事業(yè),為支持和推動智能社區(qū)和智能生活的建設(shè)提供廣泛的半導體解決方案及應(yīng)用。
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(審核編輯: KEEP)