據(jù)報道，BAE系統(tǒng)公司的FAST實(shí)驗(yàn)室繼續(xù)推動研發(fā)毫米波氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體技術(shù)，以對關(guān)鍵的下一代雷達(dá)、電子戰(zhàn)和通信技術(shù)提供支持。

目前，BAE系統(tǒng)公司正處于與美國空軍實(shí)驗(yàn)室（AFRL）簽訂的多年合作項(xiàng)目的第三階段，BAE將繼續(xù)開發(fā)對國防至關(guān)重要的氮化鎵技術(shù)，并為美國國防部供應(yīng)商提供支持美軍作戰(zhàn)的途徑。

氮化鎵是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體材料，它能以較小的體積提供更大的頻率帶寬、更高的效率和傳輸功率，從而能為美國國防部的關(guān)鍵應(yīng)用提供更強(qiáng)大的系統(tǒng)能力。氮化鎵技術(shù)滿足了美國國防部對低成本、高性能放大器技術(shù)的獨(dú)特需求。

在這個多階段項(xiàng)目中，第一階段的重點(diǎn)是將技術(shù)從美國空軍實(shí)驗(yàn)室過渡到BAE系統(tǒng)公司的晶圓廠，第二階段是使技術(shù)成熟并擴(kuò)展至6英寸晶圓，以降低每片成本。第三階段與第二階段同時進(jìn)行，旨在進(jìn)一步擴(kuò)展該技術(shù)，并嘗試為更廣泛的業(yè)界提供技術(shù)支持，以開發(fā)下一代應(yīng)用該技術(shù)的高性能集成電路。美國國防部意圖建立一個值得信賴的、基于美國的關(guān)鍵先進(jìn)電子能力供應(yīng)體系，而對于該專業(yè)技術(shù)和能力的開發(fā)正體現(xiàn)了這一點(diǎn)。

具體來說，第三階段內(nèi)容包括一項(xiàng)由美國政府贊助的挑戰(zhàn)：利用BAE系統(tǒng)公司的晶圓廠及其專業(yè)知識，向來自工業(yè)界和大學(xué)的非傳統(tǒng)團(tuán)隊(duì)開放，從而在更廣泛的業(yè)界中擴(kuò)展氮化鎵設(shè)計的多樣性，并獲得更多相關(guān)經(jīng)驗(yàn)。這種開發(fā)能夠大大擴(kuò)展氮化鎵技術(shù)的開發(fā)與利用，能夠使該關(guān)鍵技術(shù)的采用速度翻倍。

BAE系統(tǒng)公司FAST實(shí)驗(yàn)室射頻、電子戰(zhàn)和先進(jìn)電子技術(shù)產(chǎn)品線總監(jiān)Chris Rappa說：“與美國空軍實(shí)驗(yàn)室合作的這一氮化鎵項(xiàng)目正在為先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)奠定基礎(chǔ)，其可能是新一代戰(zhàn)斗機(jī)的關(guān)鍵技術(shù)之一。通過這個多年的多階段項(xiàng)目，以及我們自己的內(nèi)部投資，我們已經(jīng)看到了價值超過1500萬美元的技術(shù)和設(shè)施的更新，這將有利于我們開發(fā)出額外的功能，從而幫助實(shí)現(xiàn)美國國防部的目標(biāo)，即創(chuàng)建更多值得信賴的、基于美國的下一代技術(shù)卓越中心?！?/span>

氮化鎵項(xiàng)目是BAE系統(tǒng)公司的國防電子研發(fā)組合及其開放性代工服務(wù)的一部分，并且該項(xiàng)目建立在BAE 最近宣布的T-MUSIC獎項(xiàng)以及MATRIC技術(shù)成功的基礎(chǔ)上。BAE系統(tǒng)公司在位于美國新罕布什爾州納舒亞市的微電子中心（MEC）研究和推進(jìn)包括氮化鎵技術(shù)在內(nèi)的世界級微電子技術(shù)。自2008年以來，該微電子中心一直是經(jīng)認(rèn)證的美國國防部1A類可信供應(yīng)商，并為美國國防部的關(guān)鍵項(xiàng)目生產(chǎn)制造集成電路。