?這幾年，臺積電在半導體工藝上一路策馬揚鞭，春風得意，能夠追趕的也只有三星了，但是后者的工藝品質一直飽受質疑。

IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上，三星（確切地說是Samsung Foundry）又首次展示了采用3nm工藝制造的芯片，是一顆256Gb（32GB）容量的SRAM存儲芯片，這也是新工藝落地傳統(tǒng)的第一步。

在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節(jié)點，其他則是升級改善型，包括11／8／6／5／4nm等等。

三星將在3nm工藝上第一次應用GAAFET（環(huán)繞柵極場效應晶體管）技術，再次實現(xiàn)了晶體管結構的突破，比現(xiàn)在的FinFET立體晶體管又是一大飛躍。

GAAFET技術又分為兩種類型，一是常規(guī)GAAFET，使用納米線（nanowire）作為晶體管的鰭（fin），二是MBCFET（多橋通道場效應晶體管），使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片（nanosheet）。

三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面積56平方毫米，最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電壓只需要區(qū)區(qū)0．23V，這要感謝MBCFET的多種省電技術。

按照三星的說法，3GAE工藝相比于其7LPP，可將晶體管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

或許，這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發(fā)熱，避免再出現(xiàn)所謂的“翻車”。

三星3nm預計明年投入量產，但尚未公布任何客戶。

臺積電方面，3nm繼續(xù)使用FinFET技術，號稱相比于5nm晶體管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％，預計今年晚些時候投入試產，明年量產，客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，甚至據說Intel也會用。